8 月11 日，深科技在互动平台表示，深科技沛顿已完成基于8 层超薄芯片堆叠技术的LPDDR 颗粒以

及19nm FCCSP 存储颗粒量产，并且在40um 超薄晶圆隐形切割，80um 细间距倒装芯片焊接，16 层超薄

芯片堆叠、系统级封装等关键技术达到国内领先，世界先进。目前，公司是国内唯一具有从集成电路高端

DRAM / Flash 晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。

    深科技表示，合肥沛顿于2021 年12 月投产以来，产能进度符合预期，计划于2023 年底至2024 年

初满产，届时深科技沛顿月均总产能为12 万片/月，可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。