据晶合集成官微消息，近期，晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 

英寸）CIS（CMOS 图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，推动全画幅 CIS 进入发展新阶段。

      据介绍，晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼

接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级

的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。

      晶合集成表示，首颗 1.8 亿像素全画幅 CIS 的成功试产，既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，

也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。同时，该产品具备 1.8亿超高像素 8K 30fps PixGain 

HDR 模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应

用的适配能力，打破了日本索尼在超高像素全画幅 CIS 领域长期垄断地位，为本土产业发展贡献力量。