近日，我国在 8 英寸碳化硅领域多番突破，中国电科 48 所 8 英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式

交付，天岳先进 8 英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备 8 英寸碳化硅晶体。8 英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更

多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。

      关键突破！中国电科 48 所 8 英寸碳化硅外延设备再升级

      近日，中国电科 48 所自主研发的 8 英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。

      据中国电科官方消息，碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的 8 英寸碳化硅外延设

备，具备更快、更好、更稳定的特点，通过改进激光视觉定位、晶圆自纠偏等技术，设备自动化性能更加成熟，提升产品生产效

率。设备还成功引入新的掺杂技术，进一步提升产品良率，持续降低生产成本。

      三义激光：首批碳化硅激光设备正式交付

      9 月 5 日，三义激光在官微透露，他们自主研发、生产的首批 6&8 英寸碳化硅激光滚圆设备顺利完成生产并正式交付客户，

标志着公司在高端激光加工设备领域取得了重要进展。

      据悉，三义激光碳化硅激光设备能利用高能激光束进行精准加工，提高生产效率，降低损耗，提升产品良率，为碳化硅的精细

加工提供了高效、精准的解决方案，并具激光非接触式加工、7×24 小时无间断工作、设备运行无需耗材等优势。

      上海汉虹：制备 8 英寸碳化硅晶体

      8 月 30 日，上海汉虹官微宣布，他们在拉晶实验室中，使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质 8 英寸碳化硅晶

体，此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到 200 毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。

      据悉，该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉，采用上进料方式和自动化控制，通过热场旋转及热场工艺

稳定性设计，确保晶体生长过程中的温度均匀性和稳定性，目标为新能源汽车、5G 通讯等新兴产业的进一步发展提供材料基础。

      天岳先进 8 英寸碳化硅衬底批量销售

      近日，天岳先进披露了今年上半年财报，公司 2024 年上半年实现营业收入 9.12 亿元，较上年同期增长 108.27%。公司连续

 9 个季度保持营收增长趋势。上 半年实现归母净利润 1.02 亿元，较上年同期扭亏为盈。

      在技术研发上，天岳先进自主扩径实现了 2-8 英寸碳化硅单晶和衬底的开发。目前该公司还在开发了液相法长晶技术，这在行

业内仅有的极少数。阶段性成果显著，包括公司通过液相法实现了8inchN 型 4H-SiC 单晶及衬底、P 型 4H-SiC 单晶及衬底、N 型 

3CSiC 单晶及衬底等制备。

      销售方面，天岳先进在 8 英寸衬底上进行了前瞻性布局，已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现 8 英寸碳化硅衬底国产

化替代，公司 8 英寸碳化硅衬底已经率先实现海外客户批量销售。扩产方面，该公司上海临港工厂二期 8 英寸碳化硅衬底扩产计划

正在推进中，公司将分阶段达到规划的 8英寸衬底产能。