最近、中国は 8 インチの SiC の分野で多くのブレークスルーを成し遂げ、中国電子技術研究所48 所（CETC）の 8 インチ 

SiC エピタキシャル装置がアップグレードされ、三義（Sanyi）レーザーのSiC レーザー装置の最初のバッチが正式に納入され、

天岳先進（SICC）の高度な 8 インチ SiC 基板がバッチで販売され、上海漢虹（Ferrotec）は 8 インチの SiC 結晶を成功裏に整

備できた。 8 インチのSiC の時代が到来し、今後、より多くのメーカーが新製品や技術を持ち込むでしょう。

      クリティカルブレークスルー! 中国電子技術研究所 48 所の 8 インチ SiC エピタキシー装置が再びアップグレード

      中国電子技術研究所の公式ニュースによると、「新しくアップグレードされた」8 インチ SiC エピタキシー装置は、より速

く、より良く、より安定しているという特徴があり、レーザーの視覚的位置決め、ウェーハ自己補正などの技術の改善により、

機器の自動化性能がより成熟し、製品の生産効率が向上する。 この装置はまた、製品の歩留まりをさらに向上させ、生産コス

トを継続的に削減するための新しいドーピング技術の導入に成功した。

      三義レーザー: SiC レーザー装置の最初のバッチが正式に納入

      9 月 5 日、三義レーザーは公式の Weibo で、彼らが独自に開発および製造した 6&8 インチのSiC レーザー丸め装置の最初

のバッチが成功裏に完成し、正式に顧客に納入されたことを明らかにした。これは、同社がハイエンドレーザー加工装置の分野

で重要な進歩を遂げたことを示している。

      上海漢虹:8 インチ SiC 結晶の整備

      8 月 30 日、上海漢虹公式の Weibo は、優れた均一性と低い欠陥密度、直径 200 mm、抵抗率と結晶配向がハイエンドアプ

リケーションの要件を満たす結晶引上げ実験室で、独自の炭化ケイ素成長炉を使用して高品質の 8 インチ炭化ケイ素結晶を描画

することに成功したと発表した。 目標は、新エネルギー車や 5G 通信などの新興産業のさらなる発展のための重要な基盤を提供

することである。

      天岳先進の高度な 8 インチ SiC 基板はバッチで販売

      最近、天岳先進は今年上半期の財務報告を開示し、2024 年上半期の営業収入は 9 億 1200 万元で、前年同期比 108.27%増

加した。 同社は 9 四半期連続で営収成長傾向を維持している。 今年上半期の親会社に帰属する純利益は 1 億 200 万元で、前年

同期の損失を利益に転換した。

      技術の研究開発の面では、天岳先進は 2〜8 インチの SiC 単結晶と基板の開発を実現した。

      販売面では、天岳先進は 8 インチの基板上に前向きなレイアウトを行い、すでに先行者利益と主導的な地位を築いている。

 同社は、8 インチの SiC 基板の国産化を実現するだけでなく、海外の顧客への 8 インチ SiC 基板のバッチ販売の達成している。

 生産能力増強については、上海臨港工場第 2 期 8 インチ SiC 基板拡張計画が進められており、計画された 8 インチ基板の生産

能力を段階的に達成する。