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至讯创新完成 A 轮融资,官宣 19nm NAND 闪存芯片
来源: | 作者:Yuki | 发布时间: 373天前 | 300 次浏览 | 分享到:

    据至讯创新官微消息,近日,至讯创新科技(无锡)有限公司(以下简称“至讯创新”)宣布成功完 成亿元级 A 轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与,旨在进一步推动公司在 AI 存储芯片领域的 技术创新和市场扩张。

    据悉,此次融资将帮助至讯创新进一步加大研发投入,即将推出的自主研发设计的 MLC NAND 闪 存和 eMMC 存储系列将满足用户在边缘端更多应用程序和数据存储的需求;在边缘端 AI 数据存储和加 速计算的技术创新方面,至讯创新计划推出更多革命性产品,推动全球人工智能产业的发展和变革。

    近期,至讯创新官宣 19nm 工业级芯片全面量产。公司成功研制出国内首款中小容量高可靠性 19nm 2D NAND 闪存芯片,覆盖 512Mb、1Gb 和 2Gb 容量,并提供 1.8V 和 3.3V 电压,采用业界主流 串行接口 SPI 和 WSON 封装。通过技术创新,至讯创新实现了芯片面积缩小 40%,I/O 速度提升 25%, 擦写周期提升 70%,性能超越国内同类竞品。

    据介绍,至讯创新自成立以来,一直专注于存储芯片的研发,致力于为国内外客户提供一站式存储 解决方案,以满足日益增长的数据存储和人工智能的市场需求。目前公司已量产了从 512Mb 到 4Gb  SLC NAND 闪存系列,涵盖了从消费电子、IoT、监控、工控到汽车电子等应用领域对系统代码和用户 数据的存储需求。至讯创新基于业界最先进的二维闪存工艺制程技术,给用户提供了极具成本优势又兼 顾可靠性需求的存储方案。