7 月14 日，长沙湘江新区全域145 个重大项目集中启动开竣工仪式，其中，湖南三安半导体项目二

期项目工程正式开工。

三安半导体二期项目总投资80 亿元，占地面积480 亩，按照规划，二期项目预计将于今年内建成投

产。

资料显示，湖南三安半导体项目总投资约160 亿元，占地面积约1000 亩，主要建设具有自主知识产

权，以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。

该项目分两期建设，建设周期为48 个月。一期项目主要聚焦碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件

封装等厂房及相关配套设施建设，项目产品主要应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5G）

通讯等领域。

2021 年6 月，项目一期已实现点亮试投产，成为国内首条、全球第三条SiC 垂直整合产线，产线覆

盖衬底材料、外延生长、晶圆制造、封装测试等主要环节，建成后可实现6 英寸SiC 晶圆月产能30,000

片。

据悉，目前一期项目长晶、衬底、外延、芯片车间已全线正式批量生产，月产能力2 万片。整个项目

达产后，将实现年产值120 亿元，年税收13 亿元，增加就业1.2 万人。