近日，天成半导体官微宣布，依托自主研发的 12 英寸碳化硅长晶设备成功研制出 12 英寸高纯半 绝缘碳化硅单晶材料，12 英寸 N 型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破 35 ㎜厚。 

    据悉，天成半导体现已掌握 12 英寸高纯半绝缘和 N 型单晶生长双成熟工艺，且自研的长晶设备可 产出直径达到 350 ㎜的单晶材料。 

    资料显示，天成半导体成立于 2021 年 8 月，是一家专注于第三代半导体碳化硅衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。 

    近年来，天成半导体在碳化硅领域取得了诸多重要进展，率先研发出可量产的 8-12 英寸导电型和半绝缘型碳化硅单晶材料。

    2022 年实现了 6 英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产；2023 年 6 月实现 8 寸 SiC 单晶技术研发突破，开发出了直径为 202mm 的 8 寸 SiC 单晶；2024 年实现了 8 英寸 SiC 单晶批量生产， 产品厚度均匀性误差小于 2 微米。 

    今年 7 月，天成半导体宣布成功研制出 12 英寸（300mm）N 型碳化硅单晶材料，攻克了大尺寸扩 径工艺和低缺陷 N 型单晶材料的生长工艺，其创新采用的电阻炉工艺使晶体生长速度突破 0.4mm/h 的 行业瓶颈，微管密度降至 0.5 个 /cm² 以下，良率达到 65%。 

    截至目前，天成半导体已形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、6-12 英寸碳化硅单晶材料 生长、生产耗材加工等完整的生产线。实现了从碳化硅长晶设备制造、粉料、籽晶、热场设计到晶体加 工等全流程工艺完全自主可控。