大半导体产业网消息，近日，上海超硅半导体股份有限公司更新了招股说明书，拟募集资金 49.65 亿 元。更新内容显示，募集资金将主要用于“集成电路用 300 毫米薄层硅外延片扩产项目”“高端半导体硅材 料研发项目”和补充流动资金。

    其中 29.65 亿元将投入集成电路用 300 毫米薄层硅外延片扩产项目中。 其中，“集成电路用 300 毫米薄层硅外延片扩产项目”将在公司现有抛光片产能的基础上增强外延片 的生产能力。主要开发 300 毫米轻掺杂薄层硅外延片，对硅外延片生产线进行技术改进的同时提高硅外 延片的产能。

    “高端半导体硅材料研发项目”包含“先进制程 DRAM 和 SRAM 抛光片研发项目”“HBM 抛光片 COP-Free 晶体生长工艺研发项目”“CIS 抛光片研发项目”“SOI 用晶体生长及检查技术研发项目”等研发 项目。 

    （1）“先进制程 DRAM 和 SRAM 抛光片研发项目”通过开发更先进制程 DRAM 和 SRAM 抛光片， 满足人工智能等新兴产业对先进制程 DRAM 和 SRAM 抛光片的需求，丰富公司的产品线； 

    （2）“HBM 抛光片 COP-Free 晶体生长工艺研发项目”通过开发稳定的 HBM 用 300 毫米抛光硅 片 COP-Free 晶体生长工艺，进一步降低硅片的表面晶格缺陷，同时开发出满足客户要求的 300mm 抛 光硅片新产品。本研发项目的实施，有助于改进上海超硅现有 300 毫米抛光硅片晶体生长工艺，丰富公 司 300mm 硅片产品结构； 

    （3）“CIS 抛光片研发项目”通过以产线现有技术为基础，结合各类辅助配件、特气、清洗路线、设 备背封模式，研发出符合上海超硅的背封工艺技术，以匹配下游手机、智能驾驶等对 CIS 产品需求的增 长； 

    （4）“SOI 用晶体生长及检查技术研发项目”通过准确的分析晶体中的各项参数，从而持续优化 SOI  的晶体生长制造工艺，降低晶体生长缺陷、提高 SOI 产品良率，从而使公司的 SOI 产品满足客户要求， 提高公司在行业中的竞争力。 

    上海超硅表示，公司的募投项目集成电路用 300 毫米薄层硅外延片扩产项目主要聚焦于具有较高 技术壁垒和国产化率较低的硅外延片，“高端半导体硅材料研发项目”旨在追赶和努力超越国际先进技术， 升级产品工艺，提高生产效率及产品品质，符合我国半导体行业支持的发展方向。