为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于 7 月 30 日举行了香港

首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”启动礼。

      此次麻省光子技术将入驻新建的微电子中心(MEC)，建设香港首条 8 英寸氮化镓外延片中试线。

      据中国新闻网等多家媒体报道，麻省光子技术计划在港投资至少 2 亿港元，于香港科学园设立全 港首个第

三代半导体氮化镓(GaN)外延工艺全球研发中心，开发 8 寸先进 GaN 外延片工艺及设备平 台，用于制作氮化镓

光电子和功率器件。

      此外，麻省光子技术还将在创新园设立全港首条超高真空量产型 GaN 外延片中试线，进行小批量 生产;预计

完成中试并启动香港的 GaN 外延量产产线建设，带动创造超过 250 个微电子相关的就业职 位，包括外延片及设

备设计、生产流程发展等，创造实质经济价值。

      氮化镓(GaN)是第三代半导体的主要代表材料之一，具有宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强以及 卓越的击

穿电场等特性，可在高温和高电压下进行长时间运作，被广泛应用于 LED、激光器、太阳能电 池、无线通讯、快

充、工业和汽车等领域。

      当前，全球半导体产业发展迅速，带动氮化镓市场规模同步提升。据市场研究机构 TrendForce 集 邦咨询此

前预测，全球 GaN 功率元件市场规模将从 2022 年的 1.8 亿美金成长到 2026 年的 13.3 亿美 金，复合增长率高

达 65%。

       近年来，香港将第三代半导体作为重点发展的科技领域。2024 年 5 月，香港立法会财务委员会批 准一项重

大投资，即 28.3 亿港元，用于建立“香港微电子研发中心”，专注于第三代半导体。这项计划 包括建立一条试验生

产线，配备 I 线光刻设备、光刻胶显影工具、高温离子注入机、高温退火炉和薄膜 工具等必要工具。

       据香港特区政府创新科技及工业局局长孙东介绍，特区政府正积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院

将于年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助初创、中小企业进行试产、测试和认证，促进产、学、

研在第三代半导体核心技术上的合作。