5 月 12 日，晶盛机电子公司浙江晶瑞 SuperSiC 取得重大技术突破，成功实现 12 英寸导电型碳化 硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达 309mm 且质量完好。SiC 作为第三代半导体材料，具有高禁带宽 度等优异特性，但大尺寸晶体制备一直是全球性技术难题。

    浙江晶瑞 SuperSiC 凭借自主研发的 SiC 单晶生长炉及迭代升级的长晶工艺，创新温场设计与气相 原料分布工艺，攻克温场不均、晶体开裂等核心问题。

    此次突破不仅实现了 6-12 英寸全尺寸长晶技术自主可控，更将大幅降低芯片成本，加速 SiC 产业 链完善，推动国产 SiC 材料在多领域规模化应用，助力我国半导体产业迈向全球价值链高端。

首颗 12 英寸导电型碳化硅（SiC）单晶

首颗 12 英寸导电型碳化硅（SiC）单晶