日前，株洲中车董事长、执行董事李东林在投资者活动中透露，株洲三期于 2024 年 11 月份启动 建设，2025 年 5 月主体厂房封顶，预计 2025 年下半年启动设备搬入，2025 年底有望实现产线拉通， 该项目为 8 英寸 SiC 晶圆。 

    此外，株洲中车还拥有一条 6 英寸 SiC 芯片产线，当前已具备年产 2.5 万片 6 英寸 SiC 芯片产能。 

    技术方面，株洲中车第三代精细平面栅 SiC 产品已定型，技术水平行业主流；第四代沟槽栅设计定 型，达行业先进水平，并且对第五代 SiC 技术完成布局。目前 SiC 重点产品包括 3300V 高压平面栅 SiC  MOSFET、1200V 精细平面栅 SiC MOSFET，1200V SBD 等，1200V 沟槽栅 SiC MOSFET 性能指标基本 对标国际龙头企业。