据中国光谷官微消息,近日,位于武汉新城的长飞先进武汉基地正加紧建设,目前已进入设备安装 调试阶段,预计今年 5 月实现量产通线,较先前预计时间提前两个月。
据了解,该项目于 2023 年 9 月 1 日破土动工,总投资超 200 亿元,主要聚焦于第三代半导体功率 器件研发与生产,应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域,致力于打造全 智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。
其中项目一期总投资 80 亿元,占地面积 344 亩,将聚集上千位全球碳化硅半导体人才,打造国内 碳化硅产能最大的一体化新高地。据长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚介绍,基地选用了更先进的设备打 造产线,产品性能将大幅提升,达产后将具备年产 36 万片碳化硅芯片的制造能力,极大缓解国内新能 源汽车高端芯片需求。