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纳微半导体宣布与力积电合作生产 200mm GaN 产品
来源: | 作者:大半导体产业网 | 发布时间: 208天前 | 110 次浏览 | 分享到:

    自纳微半导体官网获悉,当地时间 7 月 1 日,纳微半导体(Navitas)宣布与力积电(PSMC)建立战 略合作伙伴关系,正式启动并持续推进业内领先的 8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-silicon)技术生产。 

    据悉,纳微半导体预计将使用位于台湾苗栗竹南科学园区的力积电 8B 厂的 8 英寸产线。力积电将 提供先进的 180nm CMOS 工艺,在此工艺节点上实现 8 英寸硅基氮化镓生产,可使器件在性能、功耗 效率、集成度和成本方面带来提升。 

    声明中称,纳微半导体与力积电合作生产的 GaN 产品组合,将涵盖 100V~650V 的电压等级,以满 足 48V 基础设施(包括超大规模 AI 数据中心和电动汽车)对氮化镓日益增长的需求。首批产品的认证 预计将于 2025 年第四季度完成。100V 系列产品预计将于 2026 年上半年率先在力积电投产,而 650V 产品将在未来 12 至 24 个月内从现供应商台积电转至力积电生产。